揭秘第三代半導(dǎo)體概念股，第三代半導(dǎo)體概念股定義：2020年9月消息，據(jù)權(quán)威消息人士透露，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入正在制定中的“十四五”規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，舉全國(guó)之力，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主，不再受制于人。第三代半導(dǎo)體概念股上市公司股票有66家。那么，揭秘第三代半導(dǎo)體概念股，龍頭股的崛起，本文詳細(xì)分析。

第三代半導(dǎo)體概念股龍頭一覽表：

1、國(guó)星光電002449：近期公司推出3大系列第三代半導(dǎo)體新產(chǎn)品，包括SiC功率器件、功率模塊和GaN-DFN器件。目前公司完成三代半功率器件實(shí)驗(yàn)室及功率器件試產(chǎn)線的建立工作，計(jì)劃2021年底實(shí)現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)。主營(yíng)業(yè)務(wù)：LED器件及其組件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售

2、露笑科技002617： 2020年半年報(bào)披露：公司將與合肥市長(zhǎng)豐縣人民政府在合肥市長(zhǎng)豐縣共同投資建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園，包括但不限于碳化硅等第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括碳化硅晶體生長(zhǎng)、襯底制作、外延生長(zhǎng)等的研發(fā)生產(chǎn)，項(xiàng)目投資總規(guī)模預(yù)計(jì) 100 億元。公司亮點(diǎn)：公司投資建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園。

3、天箭科技002977：公司持有一種氮化鎵微波集成電路脈沖調(diào)制電路”為公司實(shí)用新型專利，系針對(duì)第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵應(yīng)用的創(chuàng)新技術(shù)。主營(yíng)業(yè)務(wù)：專業(yè)從事高波段、大功率固態(tài)微波前端研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

4、華燦光電300323：在保持公司在LED領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和競(jìng)爭(zhēng)力的同時(shí)，公司持續(xù)加大產(chǎn)品研發(fā)投入和技術(shù)創(chuàng)新，積極布局第三代半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域，發(fā)力GaN基電力電子器件領(lǐng)域。公司亮點(diǎn)：國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的LED外延片及芯片供應(yīng)商。

5、捷捷微電300623：公司與中科院電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)的是以Sic、GaN為代表第三代半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體器件，具有耐高壓、耐高溫、 高速和高效等優(yōu)點(diǎn)，可大幅降低電能變換中的能量損失，大幅減小和減輕電力電子變換裝置。產(chǎn)品名稱：晶閘管系列 、防護(hù)器件系列 、二極管系列 、MOSFET系列 、厚模組件 、碳化硅器件 、電子專用材料。

6、海能實(shí)業(yè)300787：公司有氮化鎵方面的技術(shù)儲(chǔ)備，已自主研發(fā)出快充氮化鎵產(chǎn)品，能夠?yàn)榭蛻籼峁㎡DM制造服務(wù)。公司已經(jīng)在網(wǎng)站上發(fā)布的快充最大功率為112W，更大功率的快充產(chǎn)品在研發(fā)和測(cè)試中。公司亮點(diǎn)：主營(yíng)業(yè)務(wù)為電子信號(hào)傳輸適配產(chǎn)品及其他消費(fèi)電子產(chǎn)品，應(yīng)用廣泛。

7、派瑞股份300831：招股說明書披露：公司將通過首次公開發(fā)行股票募集資金建立具有小批量一定中試能力的碳化硅基器件研發(fā)實(shí)驗(yàn)中心，以滿足新產(chǎn)品的研發(fā)和中試供應(yīng)市場(chǎng)。公司亮點(diǎn)：由西電所改制成立，積淀了50年的核心技術(shù)和研產(chǎn)能力。

8、芯導(dǎo)科技688230： 公司開發(fā)第三代半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵材料高電子遷移率功率器件， 主要為順應(yīng)產(chǎn)業(yè)內(nèi)對(duì)新型半導(dǎo)體材料應(yīng)用的發(fā)展，對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)品技術(shù)及應(yīng)用領(lǐng)域的全面升級(jí)。本項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)每年新增銷售第三代半導(dǎo)體 GaN-on-Si HEMT 功率器件7.44 百萬顆， 提升公司在第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用領(lǐng)域的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。產(chǎn)品名稱：瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS) 、金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 、肖特基勢(shì)壘二極管(SBD) 、穩(wěn)壓二極管(ZENER) 、三極管(Transistor) 、單節(jié)鋰電池充電芯片 、過壓保護(hù)芯片 、音頻功率放大器 、DC-DC類電源轉(zhuǎn)換芯片。

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